فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها




گروه تخصصی











متن کامل


اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1396
  • دوره: 

    1
تعامل: 
  • بازدید: 

    570
  • دانلود: 

    1279
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 570

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 1279
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1389
  • دوره: 

    8
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    139-144
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1148
  • دانلود: 

    190
چکیده: 

در این مقاله روش جدید و کارآمدی برای مدل سازی دقیق افزاره های نیمه هادی با استفاده از مدل تقریبی و به کمک شبکه عصبی ارایه شده است. بر خلاف مدل های دقیق که دارای پیچیدگی بالا و هزینه زمانی و پردازشی زیادی هستند، روش پیشنهادی از پیچیدگی کمتر و سرعت پردازش بیشتری برخوردار است. در این روش از شبکه عصبی RBF برای محاسبه پارامتر اصلاحی در مدل نفوذ - رانش استفاده شده است. بدین صورت حل مدل تقریبی اصلاح شده منجر به جواب دقیق می شود. روش پیشنهادی ابتدا برای دیود n-i-n سیلیکونی به صورت یک بعدی و سپس برای ترانزیستور اثر میدانی سیلیکونی به صورت دوبعدی برای دو حالت درون یابی و برون یابی در رنج محدود، شبیه سازی شده است که نتایج آن برای متغیرهای اساسی مدل، مثل توزیع الکترون و پتانسیل در طول افزاره در ولتاژهای مختلف، دقت بالای روش پیشنهادی را تایید می کنند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1148

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 190 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1382
  • دوره: 

    29
  • شماره: 

    1 (پیاپی 31) ویژه الکترونیک
  • صفحات: 

    77-83
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    1802
  • دانلود: 

    1156
چکیده: 

در این مقاله، مدار معادل نویز شدت نسبی و طیف نویز فاز یا فرکانس برای لیزرهای نیمه هادی تک مد ارایه می شود. مدل مداری نویز فاز لیزرهای تک مد در این مقاله برای اولین بار ارایه شده است. مدل مداری، با استفاده از منابع نویز لنجوین، از معادلات آهنگ استنتاج شده و نویزهای شدت نسبی و فاز به صورت پارامترهای الکتریکی محاسبه می شود. نویز شدت نسبی و طیف نویز فرکانس برای یک نمونه خاص لیزر مخابراتی، با روشی غیر مستقیم اندازه گیری می شود. در پایان نشان داده می شود که نتایج به دست آمده از اندازه گیری غیر مستقیم با نتایج حاصل از مدل مداری مطابقت دارد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1802

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 1156 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات : 
  • تاریخ پایان: 

    آبان 1391
تعامل: 
  • بازدید: 

    809
چکیده: 

این گزارش مربوط به طراحی و ساخت یک ولو(Valve) نیمه هادی ولتاژ بالا با تکنولوژی سری سازی IGBTها است. ولو مذکور متشکل از 8 عدد سوئیچ IGBT سری شده می باشد که حداکثر تا ولتاژ 22DC kV و جریان بیش از 200A را تحمل می کند. لازم به ذکر است که به منظور تقسیم ولتاژ در دو حالت دینامیک و استاتیک بین سوئیچ هایی که در هر ولو IGBT با هم سری شده اند از تکنیک خاصی مبتنی بر دیودهای سوپرسور استفاده شده است. این دیودها هنگام وقوع هر گونه اضافه ولتاژی در سوئیچ بلافاصله با تزریق یک جریان به گیت سوئیچ باعث روشن شدن و در نتیجه رفع اضافه ولتاژ می گردند. همچنین سیستم خنک ساز این ولو از نوع آب خنک بوده که نیازمند به کارگیری فنآوری پیشرفته ای برای کارکرد مناسب و مطمئن آن است. سیستم خنک ساز ولو همواره میزان یون موجود در آب را کنترل کرده تا از حد معینی فراتر نرفته و همچنین گردش آب در ولو به گونه ای باشد تا حرارت ناشی از تلفات سوئچینگ کلیدها به نحو مناسبی از سوئیچ ها دفع شود. سوئیچ های نیمه هادی سریع ولتاژ بالا به عنوان جزی پایه بخش قدرت مبدل های توان بالا محسوب می شوند. این مبدلها کاربردهای فراوانی نظیر استفاده در مبدلهای انتقال توان به صورت DC موسوم به VSC-HVDC، و همچنین ادواتFACTS ؛ مبدلهای کنترل دور موتورهای ولتاژ بالا دارند. در بخش قدرت این نوع کاربردها استفاده از سری سازی نیمه هادی ها (ولو) الزامی است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 809

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    12
  • شماره: 

    24
  • صفحات: 

    173-188
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    3040
  • دانلود: 

    1443
چکیده: 

این مطالعه با هدف تدوین مدل توسعۀ ورزش سالمندی ایران انجام گرفته است. از منظر هدف، پژوهش از نوع کاربردی است که به روش کیفی انجام شده است. مشارکت کنندگان در پژوهش حاضر شامل متخصصان و صاحب نظران ورزش سالمندی اند. ابزار جمع آوری داده ها مصاحبۀ نیمه ساختاریافته است. افراد نمونه به صورت هدفمند برای مصاحبۀ نیمه ساختاریافته انتخاب شده اند. تحلیل داده ها، هم زمان با جمع آوری اطلاعات، بر اساس روش کیفی استراوس و کوربین انجام شده است. نتایج پژوهش نشان می دهد که تعداد 179 مفهوم اولیه استخراج شده و سپس، با بررسی و بازنگری و تجمیع داده ها، تعداد 63 کد و در مرحلۀ کدگذاری محوری، تعداد 12 مقوله به دست آمده که عبارت است از: مقولۀ علّی (رویکرد اجتماعی و رویکرد سلامت محور)، پدیدۀ محوری (مدیریت ورزش سالمندان)، راهبردها (راهبرد مدیریت برنامه، فرهنگ سازی و کرامت سالمندان)، شرایط مداخله گر (چالش های فرهنگی و موانع ساختاری)، زمینه ای (زمینه یابی و ارائۀ تسهیلات) و پیامدها (بهبود سلامتی و توسعۀ اجتماعی). با توجه به نتایج به دست آمده در این پژوهش، می توان گفت دولت ها (با تدوین و اجرای برنامه ها و همچنین قوانینی برای حمایت در بُعدهای مالی، فرهنگی و اجتماعی از سالمندان و آگاهی و آموزش دادن به افراد سالمند و خانواده های آنان در جهت مفید بودن ورزش و خطرات بی تحرکی در این دوران و احداث زیرساخت های مناسب و مرتبط با این افراد) و نیز توجه به اصول و اقدامات زیربنایی و ساختاری می تواند از چالش ها و مسائل و مشکلات مربوط به این دوران جلوگیری کند. علاوه بر این می توان مدیریت و توسعۀ ورزش سالمندان را به درستی انجام داد و به الگویی موفق برای دیگر کشورها در زمینۀ ورزش سالمندی تبدیل شد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 3040

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 1443 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1400
  • دوره: 

    5
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    107-118
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    571
  • دانلود: 

    89
چکیده: 

محاسبه وزن مواد بار کوره های ذوب، اغلب از راه موازنه جرم ساده عناصر آلیاژی در مواد ورودی و مذاب خروجی انجام می شود. اما در فرایندهای ذوب، پیچیدگی ها و پدیده های گوناگونی هست که اغلب در محاسبات موازنه جرم نادیده گرفته می شود و سبب عدم اطمینان در محاسبه بار کوره می گردد. خطای محاسبه، باعث اصلاح چندباره ذوب، تأخیر در تخلیه، افزایش هزینه و کاهش کیفیت مذاب می شود. در پژوهش حاضر تلاش بر این بوده که پیچیدگی ها و جنبه های مهم مساله ذوب، که اغلب نادیده گرفته شده، در کوره شناسایی و در یک مدل ریاضی مناسب درنظر گرفته شود. هدف پژوهش حاضر توسعه مدلی است، که نه تنها وزن مواد اولیه برای ترکیب شیمیایی ذوب هدف را بهینه سازی کند، بلکه هدررفت ناهمگن عناصر آلیاژی، ناخالصی های غیرفلزی مواد بار، و اصلاح ذوب اولیه در کوره را نیز درنظر بگیرد. این مقاله، یک مدل بهینه سازی استاندارد و یک الگوریتم حلقه ی تکرار برای موازنه جرم غیرخطی مساله ذوب ارایه می کند. یک مساله ذوب آلیاژ برنج با 7 عنصر آلیاژی و 8 نوع مواد بار در مقیاس صنعتی طرح و بررسی گردید، تا کارکرد مدل را مورد آزمایش قرار دهد. نتایج عددی مدل کسر وزنی مواد اولیه، و وزن و ترکیب شیمیایی ذوب اصلاح شده را با کمترین هزینه مواد نشان می دهد. تحلیل بهینه بودن جواب، تایید کرد که کمترین مقدار هزینه به دست آمده است. مدل استاندارد غیرخطی، ابزاری قابل اعتماد و سریع برای بهینه سازی هزینه و محاسبه بار کوره است که پتانسیل های قابل توجهی برای کاهش هزینه و تسهیل اتوماسیون صنعتی فرایند ذوب ایجاد می کند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 571

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 89 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1397
  • دوره: 

    9
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    251-257
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    889
  • دانلود: 

    300
چکیده: 

روش های متعددی برای تبدیل انرژی ذرات واپاشی بتا به انرژی الکتریکی وجود دارد. تبدیل انرژی ذرات بتا به انرژی الکتریکی با استفاده از قطعات نیمه هادی، یکی از روش های مهم تبدیل انرژی واپاشی است که در باتری های رادیوایزوتوپی به کار برده می شود. در این تحقیق، یک باتری نیمه هادی فوتو-بتاولتائیک طراحی و ساخته شده است. این باتری ساخته شده، انرژی خورشیدی و انرژی پرتوهای بتا را به انرژی الکتریکی تبدیل می کند. فرآیند آلایش سیلیکون برای ساخت دیود p-i-n بررسی و انجام شده که شامل نفوذ آلاینده ها در دمای C° 1000، آنالیز SEM، محاسبه میزان آلایش، محاسبه عمق نفوذ و بررسی مقاومت الکتریکی سطح سیلیکون آلاییده شده است. در حضور پرتوهای بتای گسیلی از چشمه 90Sr/90Y (μ Ci 58)، جریان بتاولتائیک اندازه گیری شده برابر با pA 50 گردید. باتری مورد استفاده در آزمایشگاه، با کد مونت کارلو MCNP5 شبیه سازی شد و جریان الکتریکی pA 2/45 به دست آمد. نتایج شبیه سازی و تجربی توافق بسیار خوبی دارند. همچنین این باتری ساخته شده به نور مرئی هم پاسخ می دهد و حساسیت آن قابل قیاس با سلول های نوری است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 889

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 300 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
همکاران: 

حسن-کی ارسلان

کارفرما: 

جهاد دانشگاهی

اطلاعات : 
  • تاریخ پایان: 

    شهریور 1368
تعامل: 
  • بازدید: 

    302
کلیدواژه: 
چکیده: 

هدف از انجام این پروژه ایجاد سهولت در تعمیر و نگهداری یک سیستم ناوبری از طریق تبدیل حافظه های مغناطیسی (Core Memory) به حافظه های نیمه هادی است. حافظه جایگزین دارای قابلیت نگهداری اطلاعات در صورت قطع برق می باشد. این قابلیت با استفاده از باطری فراهم می شود و امکان ایجاد «CMOS RAM» را میسر می سازد، ضمنا مدار جایگزین قابلیت تحمل تغییرات زیاد دما و شتاب را دارد. خلاصه ای از فعالیت های انجام شده: - استخراج اطلاعات حافظه و قرار دادن آن در «EPROM» - شناسایی سیستم کامپیوتر و حافظه و منحنی های زمانی مربوط - ساخت مدار آزمایشی نمونه و تست آزمایشگاهی آن - ساخت نمونه تولیدی مدار و تست در شرایط عملیاتی - تولید 5 نمونه برای رفع بخشی از نیازهای جاری - ساخت 100 نمونه تولیدی

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 302

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1381
  • دوره: 

    10
  • شماره: 

    43 (ویژه مقالات مهندسی برق)
  • صفحات: 

    1-10
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1083
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

در این مقاله اصلاح روش استاندارد مونت کارلو برای نواحی پر غلظت بررسی شده است. در نواحی پر غلظت، آثار تبهگنی با اهمیت می شود. برای لحاظ کردن تبهگنی در الگوریتم مونت کارلو روشهای مختلفی وجود دارد که در بین آن ها روش لاگلی – فری (LF) دقیق تر و درعین حال با روش مونت کارلو همخوانتر است. در این مقاله ابتدا روش LF در بدنه نیمه هادی بررسی شده و ضعف این روش در میدانهای ضعیف که مشاهده رفتار غیر فیزیکی در مشخصه متوسط انرژی است مورد توجه قرارگرفته است. روش موجود برای حل این مشکل در بدنه نیمه هادی، با فرض وجود میدان الکتریکی دریک بعد به خوبی خطای فوق را می پوشاند اما این روش در ادوات که میدان الکتریکی درچند جهت مولفه دارد. می تواند در میدانهای ضعیف باعث بروز خطا شود. در این مقاله با اصلاح این روش به صورت ریاضی و عددی، بهبود نتایج نشان داده شده است.  

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1083

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نشریه: 

دنیای نانو

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1403
  • دوره: 

    20
  • شماره: 

    75
  • صفحات: 

    39-46
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    13
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

اخیرا خواص حرارتی نانوساختارهای نیمرسانا و ابرشبکه هاتوجه زیادی را به دلائل زیر به خود معطوف کرده است. اولا کاهش پیوسته ابعاد مدارها و افزاره های میکروالکترونیک که باعث افزایشی در توان اتلافی در واحد سطح تراشه ی نیمه هادی می شود. در نتیجه تاثیر آثار اندازه روی رسانش گرمایی برای طراحی افزاره و قابلیت اعتماد به آن بسیار حائز اهمیت خواهد بود. ثانیا طراحی و ساخت دستگاه های دو بعدی چاه کوانتومی نیمه هادی ناهمگون منجر به کاهش رسانش گرمایی و بهبود کارائی ترموالکتریکی آنها می شود. در این کار پژوهشی خواص گرمایی یک ساختار دوبعدی نیمه هادی مانند چاه کوانتومیSi و Ge با لحاظ نرخ واهلش فونون در فرآیندهای پراکندگی واگرد، پراکندگی مرزی و پراکندگی اختلاف جرم را بررسی کرده و رسانش گرمایی را محاسبه و رسم کردیم. مشاهده گردید که هدایت حرارتی می تواند با تنظیم ضخامت لایۀ جداگر تعدیل شود. همچنین نتایج محاسبات نشان می دهد که هدایت حرارتی چاه کوانتومی نمونه در حدود یک مرتبه کمتر از انبوهۀ مشابه اش است. نتایج ما با داده های نظری و تجربی اخیر توافق دارد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 13

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button