در این مقاله روش جدید و کارآمدی برای مدل سازی دقیق افزاره های نیمه هادی با استفاده از مدل تقریبی و به کمک شبکه عصبی ارایه شده است. بر خلاف مدل های دقیق که دارای پیچیدگی بالا و هزینه زمانی و پردازشی زیادی هستند، روش پیشنهادی از پیچیدگی کمتر و سرعت پردازش بیشتری برخوردار است. در این روش از شبکه عصبی RBF برای محاسبه پارامتر اصلاحی در مدل نفوذ - رانش استفاده شده است. بدین صورت حل مدل تقریبی اصلاح شده منجر به جواب دقیق می شود. روش پیشنهادی ابتدا برای دیود n-i-n سیلیکونی به صورت یک بعدی و سپس برای ترانزیستور اثر میدانی سیلیکونی به صورت دوبعدی برای دو حالت درون یابی و برون یابی در رنج محدود، شبیه سازی شده است که نتایج آن برای متغیرهای اساسی مدل، مثل توزیع الکترون و پتانسیل در طول افزاره در ولتاژهای مختلف، دقت بالای روش پیشنهادی را تایید می کنند.